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【图文简介】图1以MoTe2器件为例验证SBFET模型a)在室温下测量的MoTe2器件的漏极电流-栅极电压特性曲线(红色空心圆)，关键蓝线表示根据SBFET模型的模拟结果，关键内插为该装置的相应光学显微镜图像，三种不同电荷载流子注入模式标记为i-iii。词让池产d)不同栅极电压下的某一接触端子处的能带示意图。

b)不同偏压下，料电MoTe2器件在SiO2上的全部(实线)和沟道部分(虚线)的漏极电流密度-栅极电压特性曲线。投稿以及内容合作可加编辑微信：组展生cailiaokefu，我们会邀请各位老师加入专家群。关键文献链接：UncoveringtheConductionBehaviorofvanderWaalsAmbipolarSemiconductors(Adv.Mater.,2018,DOI:10.1002/adma.201805317)本文由材料人编辑部abc940504【肖杰】编译整理。

词让池产数值模拟结果表明肖特基势垒场效应晶体管(SBFET)模型可以完全解释双极性vdWS。料电图3完全置于hBN上的MoTe2SBFET电子特性a)单层MoTe2置于厚hBN上器件的光学显微镜图像。

然而，组展生将vdWS完全或部分(仅接触区域)置于惰性hBN层上可抑制这种转变。

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