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国及图5实验和模拟的品质因数和发电量(A)Sn1-xPbxSe晶体的ZT值随温度的变化。(D)SnSe和Sn0.91Pb0.09Se的VBM1、东北VBM2、VBM3和VBM4的单波段有效质量(mb*)与温度的关系。

基于研究结果，亚区行未来的工作重点是通过使用最佳的接触材料和组装方法来降低界面电阻，从而提高热电设备的性能。Pb合金化进一步促进了这种电子带的合成，总裁同时优化了载流子迁移率和塞贝克系数，从而在Sn0.91Pb0.09Se晶体中产生了超高的PF和ZT值。