汤广统转国广东方总经理助理张禹告诉记者。

福突（b）界面处电子和离子转移的示意图。类似的，破关哈尔滨师范大学邓超教授课题组和哈尔滨工程大学张森副教授团队[7]通过水热处理和随后的高温处理来设计含氧缺陷的V6O13-δ@C纳米卷（图2）。

得益于稳固的氧缺陷-V6O13正极，键核进电Zn//Od-VO电池在200次循环以上表现出前所未有的稳定性，键核进电高比容量接近400 mAh g-1，达到95%的理论容量利用率，2000次循环后仍有67%的高利用率。心技型（c）完美的VO2和（d）氧缺陷Od-VO2的Zn2+吸附结构几何形状（侧视图）。术推（k）用于高度可逆的Zn2+离子嵌入/脱嵌的缺陷晶体的示意图。

中科院胡林华研究员，力系华盛顿大学曹国忠教授，力系石家庄学院纪登辉博士等团队通过重复相变过程合成了富含氧缺陷的VO2(B)，并系统研究了氧缺陷对VO2(B)的晶体结构，电化学和锌离子存储性能的影响[8]。此外，汤广统转通过计算电荷密度差等值面发现，纯KVO和氧缺陷KVO的Zn位点附近的电荷都显着降低，而相邻V位和O位附近的电荷显着增加。

截止目前，福突针对这两种材料自身瑕疵（如：晶体结构不稳定、金属元素溶解以及导电率差等）而展开的研究可谓花样百出，层出不穷。

通过循环伏安法对Od-VO2-G和纯相VO2的电化学反应动力学进行分析发现，破关氧空位和异质界面促进了电容型电荷存储和加速了锌离子的扩散速率，破关这些结论与电化学阻抗谱（EIS）测量和DFT计算相吻合。材料人网专注于跟踪材料领域科技及行业进展，键核进电这里汇集了各大高校硕博生、键核进电一线科研人员以及行业从业者，如果您对于跟踪材料领域科技进展，解读高水平文章或是评述行业有兴趣，点我加入编辑部。

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2001-2008年在美国Nanosys高科技公司工作、力系是该公司的联合创始人之一，力系历任联合技术顾问、先进技术科学家、先进技术高级科学家、先进技术部经理和首席科学家。汤广统转1995年获国家杰出青年基金资助。